Объявления:
ОКП 620000 КОНДЕНСАТОРЫКОНДЕНСАТОРЫ
Подкатегории категории КОНДЕНСАТОРЫ:
Конденсаторы постоянной емкости керамические Конденсаторы постоянной емкости на основе стекла Конденсаторы постоянной емкости слюдяные Конденсаторы постоянной емкости пленочные с органическим синтетическим диэлектриком Конденсаторы постоянной емкости оксидные Конденсаторы прочие | ГОСТ 24613.2-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения тока утечки | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1982 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 24613.3-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения входного напряжения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1982 | Страниц: 2 |
| ГОСТ 24613.5-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения нулевого выходного остаточного напряжения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1982 | Страниц: 2 |
| ГОСТ 24613.6-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1982 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 24613.0-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 24460-80 Микросхемы интегральные цифровых устройств. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 24354-80 Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 26 |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 14 |
| ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1982 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 23088-80 Изделия электронной техники. Требования к упаковке, транспортированию и методы испытаний | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1981 | Страниц: 17 |
| ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1981 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1981 | Страниц: 11 |
| ГОСТ 24613.18-77 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1979 | Страниц: 4 |
| ГОСТ 24613.19-77 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения коэффициента передачи по току | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1978 | Страниц: 3 |
| ГОСТ 12.2.007.5-75 Система стандартов безопасности труда. Конденсаторы силовые. Установки конденсаторные. Требования безопасности | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1978 | Страниц: 7 |
| ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1977 | Страниц: 9 |
| ГОСТ 21493-76 Изделия электронной техники. Требования по сохраняемости и методы испытаний | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 01.01.1977 | Страниц: 15 |
| ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | |
| Дата актуализации текста: 01.08.2013 | Статус: действующий |
| Дата актуализации описания: 01.08.2013 | Тип документа: стандарт |
| Дата введения: 30.06.1976 | Страниц: 6 |
